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LDO 발열 손실 계산기

입력전압, 출력전압, 부하전류를 입력해 LDO에서 발생하는 손실전력을 계산합니다.

한눈에 요약

입력 전압 5V를 3.3V로 변환하고 500mA의 부하 전류가 흐를 때 LDO의 손실 전력은 0.85W(850mW)이며, 전력 변환 효율은 약 66%입니다.

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LDO 발열 손실 계산기

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계산 공식 및 예시

공식LDO 손실 전력(W) = (입력 전압(V) - 출력 전압(V)) × 부하 전류(mA) ÷ 1,000
계산 예시입력 전압 5V, 출력 전압 3.3V, 부하 전류 500mA일 때 손실 전력은 0.85W(850mW)입니다.

LDO 발열 손실 계산기 사용법

LDO(Low Dropout Regulator)는 저노이즈 특성과 간결한 회로 구성 덕분에 마이크로컨트롤러, RF 모듈, 정밀 아날로그 센서의 전원 공급 장치로 널리 사용됩니다. 하지만 선형 레귤레이터의 특성상 입출력 전위차에 해당하는 전압을 전부 열로 소비하므로, 회로 설계 시 발열 제어가 가장 중요한 핵심 요소입니다.

이 계산기는 입력 전압(VINV_{IN}), 출력 전압(VOUTV_{OUT}), 부하 전류(ILOADI_{LOAD})를 바탕으로 LDO에서 순수하게 발열로 소비되는 손실 전력(PDP_D)과 변환 효율을 즉시 계산합니다.


계산 방법 및 기본 공식

LDO 내부의 대기 전류(Quiescent Current, IQI_Q)는 통상 수십 μA\mu\text{A}에서 수 mA\text{mA} 수준으로 부하 전류에 비해 매우 작으므로, 실무적인 발열 손실 전력 계산식은 다음과 같이 정의됩니다.

손실 전력(PD)=(VINVOUT)×ILOAD\text{손실 전력}(P_D) = (V_{IN} - V_{OUT}) \times I_{LOAD}

또한 전력 변환 효율(η\eta)은 입출력 전압 비율에 직접적으로 비례합니다.

전력 변환 효율(η)=VOUTVIN×100%\text{전력 변환 효율}(\eta) = \frac{V_{OUT}}{V_{IN}} \times 100\%

반도체 접합부(Junction) 온도를 추정하려면 소자의 열저항(RθJAR_{\theta JA})과 주변 온도(TaT_a)를 결합한 열 방정식도 함께 검토해야 합니다.

Tj=Ta+(PD×RθJA)T_j = T_a + (P_D \times R_{\theta JA})

계산 예시

1. 일반적인 5V to 3.3V 마이크로컨트롤러 구동

  • 입력 전압 (VINV_{IN}): 5.0 V (USB 또는 5V 레일)
  • 출력 전압 (VOUTV_{OUT}): 3.3 V (MCU 및 센서 구동)
  • 부하 전류 (ILOADI_{LOAD}): 500 mA (0.5 A)
  • 전압 강하 (VdropV_{drop}): 5.03.3=1.7 V5.0 - 3.3 = 1.7\text{ V}
  • 손실 전력 (PDP_D): 1.7 V×0.5 A=0.85 W (850 mW)1.7\text{ V} \times 0.5\text{ A} = 0.85\text{ W (850 mW)}
  • 결과: 소형 SOT-23 패키지에는 과도한 발열 수준이므로, 방열 패드가 넓은 SOT-223 또는 TO-252 패키지를 선정해야 합니다.

2. 12V 어댑터에서 5V 로직 전원 변환

  • 입력 전압 (VINV_{IN}): 12.0 V
  • 출력 전압 (VOUTV_{OUT}): 5.0 V
  • 부하 전류 (ILOADI_{LOAD}): 1,000 mA (1.0 A)
  • 전압 강하 (VdropV_{drop}): 12.05.0=7.0 V12.0 - 5.0 = 7.0\text{ V}
  • 손실 전력 (PDP_D): 7.0 V×1.0 A=7.0 W7.0\text{ V} \times 1.0\text{ A} = 7.0\text{ W}
  • 결과: 유효 출력 전력(5.0 W5.0\text{ W})보다 버려지는 열 손실(7.0 W7.0\text{ W})이 더 큽니다. 일반 LDO로는 방열판 없이는 구동이 불가능하며, 효율 90% 이상의 스위칭 벅(Buck) 컨버터 사용이 필수적입니다.

패키지별 권장 허용 손실 전력 가이드

PCB 레이아웃의 구리 패턴 면적에 따라 차이가 있지만, 일반적인 양면 FR-4 기판 기준 패키지별 발열 한계 기준은 다음과 같습니다.

패키지 형태일반 열저항 (RθJAR_{\theta JA})권장 최대 손실 전력주요 권장 용도
SOT-23약 200~250 °C/W0.25 W 이하초저전력 센서, 소형 BLE 모듈
SOT-89약 100~130 °C/W0.5 W 이하소형 MCU, 중간 부하 회로
SOT-223약 50~70 °C/W0.8 ~ 1.0 W500mA급 3.3V 표준 전원부
TO-252 (DPAK)약 30~50 °C/W1.5 ~ 2.0 W1A급 전원, 모터 드라이브 로직
TO-220 (방열판 장착)약 3~10 °C/W5.0 W 이상대전력 리니어 레귤레이터

실무 설계 시 주의사항

  1. 드롭아웃 전압(Dropout Voltage) 마진 확인: LDO가 정상 레귤레이션을 유지하려면 입력 전압이 출력 전압에 드롭아웃 전압을 더한 값 이상이어야 합니다. 입력 리플 전압 최저점에서도 이 전위차가 유지되는지 데이터시트의 VdropoutV_{dropout} 곡선을 점검하세요.
  2. PCB 방열 패턴(Thermal Via) 확보: SMD 패키지 LDO는 뒷면 방열 탭(GND 또는 VOUT)을 넓은 구리 플레인에 납땜하고 여러 개의 써멀 비아를 뚫어 열을 기판 전체로 분산시켜야 정격 성능을 발휘합니다.
  3. 스위칭 레귤레이터와의 복합 구성: 입출력 전위차가 크면서도 아날로그 회로의 저노이즈가 요구되는 환경이라면, 1차로 벅 컨버터를 통해 전압을 VOUT+0.3VV_{OUT} + 0.3\text{V} 수준까지 떨어뜨린 후 2차로 LDO를 통과시키는 하이브리드 전원 구조를 권장합니다.
최종 내용 검토일: 2026-09-16

Q&A

자주 묻는 질문

LDO 손실 전력이 크면 어떤 문제가 발생하나요?

LDO(Linear Dropout Regulator)는 초과되는 전압을 모두 열 에너지로 방출하는 선형 제어 방식입니다. 손실 전력($P_D$)이 커지면 부품 내부 온도가 급격히 상승하여 보호 회로인 써멀 셧다운(Thermal Shutdown)이 작동하거나 소자가 영구 손상될 수 있습니다.

손실 전력에 따른 패키지 선정 기준은 무엇인가요?

일반적으로 별도 방열판이 없는 기본 PCB 패턴 기준 SOT-23 패키지는 약 0.3W 이하, SOT-223은 0.8W~1W 이하, TO-252(DPAK)는 1.5W 내외까지 견딜 수 있습니다. 손실 전력이 1W를 넘어가면 방열판 추가나 스위칭 방식의 벅(Buck) 컨버터 도입을 권장합니다.

접합부 온도(Tj)는 어떻게 예측하나요?

접합부 온도는 $T_j = T_a + (P_D imes R_{ heta JA})$ 공식을 사용합니다. 여기서 $T_a$는 주변 환경 온도(°C), $R_{ heta JA}$는 패키지 열저항(°C/W)입니다. 계산된 온도가 소자의 최대 허용 온도(통상 125°C 또는 150°C)를 초과하지 않도록 여유 마진을 확보해야 합니다.